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REACH法規新增15種SVHC物質
2009年12月7日，ECHA成員國委員會達成一致意見，將另外15種物質列入REACH高度關注物質（SVHC)候選清單。預計ECHA將在2010年1月份正式采納此決定，并將這15種物質正式列入SVHC候選清單，屆時SVHC候選清單將增至30種物質。
2010-03-17
REACH 法規 15種 SVHC物質 測試標準
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LED路燈是否應該廣泛推廣成熱話題
東莞國際會展大酒店舉行的“2010年中國道路照明論壇”會議上,記者發現,大約有80%的演講報告與LED路燈有關。2010年“十城萬盞”工作也進入了重要的實施階段,21個試點城市之外的地方政府仍然十分積極的申請加入試點城市……
2010-03-17
LED LED路燈 道路照明
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上海光宇睿芯：打造本土分立器件巨頭
上海光宇睿芯微電子有限公司（Sino-IC）日前在深圳舉行了新產品發布會，除了發布了一系列新的產品線，還介紹了公司產品市場策略的變化。Sino-IC總裁劉健朝透露：“在2009年，我們還是一家以過壓保護器件為主的廠商，從今年起我們將產品線擴展到各種分立器件，我們的最終目標是打造成像On Semi、Visha...
2010-03-17
Sino-IC LED 傳感器
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電子信息產業：加快調整 搶占高端
電子信息產業是受國際金融危機影響較大的行業，通過貫徹落實產業調整振興規劃，正逐步復蘇，走向新的發展征程。溫家寶總理在政府工作報告中指出，大力發展信息網絡和高端制造業，加快物聯網的研發應用，這些都為電子信息產業發展指明了方向。
2010-03-17
電子信息業 結構 軟件服務業 新興產業
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RS推出1200種三洋半導體產品
RS Components宣布，通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導體公司的1200類半導體產品。
2010-03-16
RS 三洋半導體 MOSFET IGBT 晶體管
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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動功率技術革命
GaN技術平臺開創行業先河，是IR研發部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質外延技術，經過5年精心研究的成果。高生產量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設施，可為客戶提供世界級的商業可行的氮化鎵功率器件制造平臺。
2010-03-15
輕便 低溫 IR GaN 功率器件 革命
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TDK-EPC 開發并量產SMD型LAN用脈沖變壓器
特別在使用于模塊(module)的情況下，敝社以往的產品在裝載時，基板與脈沖變壓器是先通過手動方式進行配線處理。然后，為保持其安定性還需要使用樹脂來固定基板和零件。而該SMD型新產品，可利用回流(reflow)方式一次完成基板裝載,從而可以簡化生產工序。
2010-03-15
電感器 SMD LAN 脈沖變壓器
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中國制定太陽能光伏政策要考慮國情
對半導體產業來說，在過去的 5年中出現了新的趨勢，即半導體產業的發展主要是由消費者來推動的,消費者是真正的推動力?，F在半導體市場的發展很大程度上依賴于手持設備，比如智能手機、運行Win7的筆記本電腦和其他新潮熱門的產品等。只有消費者和企業喜歡購買有吸引力的IT設備和有特色的產品，才能促...
2010-03-15
應用材料 太陽能 光伏 政策
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IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET
這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現業界領先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。
2010-03-15
IR MOSFET HEXFET 硅技術 導通電阻
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