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利用濾波電容和濾波電感抑制輻射EMI
抑制電磁干擾（EMI）最常見(jiàn)的方法之一是使用濾波電容和濾波電感。本文將討論在雙有源橋式變換器中這些濾波組件的阻抗特性及設(shè)計(jì)方法，并以此闡明二者對(duì)輻射 EMI的抑制作用。
2023-10-17
濾波電容 濾波電感 EMI
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普冉半導(dǎo)體與IAR達(dá)成合作，為嵌入式開(kāi)發(fā)者帶來(lái)卓越開(kāi)發(fā)體驗(yàn)
中國(guó)上海–2023年10月11日–嵌入式開(kāi)發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者IAR與普冉半導(dǎo)體共同宣布達(dá)成合作：IAR Embedded Workbench for Arm將全面支持普冉半導(dǎo)體32位Arm? Cortex? - M0+/M4系列微控制器。IAR將為普冉提供完整的開(kāi)發(fā)工具支持，包括但不限于代碼編輯、編譯、調(diào)試等功能，使開(kāi)發(fā)者能夠充分發(fā)揮普冉...
2023-10-12
普冉半導(dǎo)體 IAR 嵌入式
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瑞薩運(yùn)動(dòng)傳感器助力生活更智能
隨著物聯(lián)網(wǎng)和人工智能技術(shù)的不斷發(fā)展，運(yùn)動(dòng)傳感器被嵌入在越來(lái)越多的應(yīng)用中。智能手機(jī)、智能手表、健身設(shè)備、游戲控制器等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品，用它來(lái)監(jiān)測(cè)、追蹤用戶的步數(shù)、運(yùn)動(dòng)軌跡、姿勢(shì)等數(shù)據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)個(gè)人健康管理和運(yùn)動(dòng)追蹤功能。而在工業(yè)領(lǐng)域中，運(yùn)動(dòng)傳感器被用于機(jī)器人、自動(dòng)化生產(chǎn)線、無(wú)人機(jī)...
2023-10-12
瑞薩 運(yùn)動(dòng)傳感器 方案
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填谷電路諧波電流（問(wèn)題）分析
在常規(guī)AC-DC開(kāi)關(guān)電源中，其輸入端AC電源經(jīng)全波整流后，一般接一個(gè)大電容器，以得到波形較為平直的直流電壓。整路是一種非線性元件和儲(chǔ)能元件的組合，因此，雖輸入交流電壓是正弦的，但輸入交流電流波形卻嚴(yán)重畸變，呈脈沖狀，輸入電流產(chǎn)生嚴(yán)重畸變的結(jié)果是，電源滿載工作時(shí)功率因素不足0.6，諧波電...
2023-10-12
填谷電路 諧波電流
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人體傳感器設(shè)計(jì)秘籍
人體傳感器是設(shè)計(jì)用于檢測(cè)人體靠近或離開(kāi)等特征的電子設(shè)備。隨著物聯(lián)網(wǎng)的興起，其在消費(fèi)電子、汽車(chē)、醫(yī)療設(shè)備、樓宇自動(dòng)化、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域掀起了熱浪。在智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備上幾乎都能見(jiàn)到它的身影，用來(lái)檢測(cè)人體移動(dòng)過(guò)程或者跌倒告警是當(dāng)今一種重要的技術(shù)手段。同時(shí)，在家庭和企業(yè)安全系統(tǒng)中也...
2023-10-09
人體傳感器 MCU
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解構(gòu)ADI新一代VSM芯片，看“4合1”的AFE如何重新定義可穿戴監(jiān)測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
“炸雞配參茶，精釀加枸杞，熬夜敷面膜，蹦迪戴護(hù)膝……”作為當(dāng)代年輕人朋克養(yǎng)生的現(xiàn)狀，調(diào)侃是真的，惜命也是真的。在放肆與克制之間反復(fù)橫跳，高壓社會(huì)下的年輕人們沒(méi)能避免失眠、肥胖、暴躁等逐漸帶來(lái)的“疑難雜癥”，倒是讓大眾對(duì)大健康的關(guān)注度提升到了前所未有的高度。再有我國(guó)素來(lái)養(yǎng)生觀念的加成...
2023-10-08
ADI AFE 可穿戴
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儀器校準(zhǔn)這件事
儀器在生產(chǎn)完成后，由于工藝精度問(wèn)題，無(wú)法保證在使用時(shí)完全達(dá)到最終要求的精度，為了提高儀器精度，需要對(duì)儀器進(jìn)行校準(zhǔn)，在校準(zhǔn)完成以后，還需要按照精度要求進(jìn)行檢定，只有這樣，才能確保送到客戶手中的每一臺(tái)儀器都符合精度要求。本文主要介紹儀器校準(zhǔn)的過(guò)程。
2023-10-07
儀器校準(zhǔn) 原理
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以更小封裝實(shí)現(xiàn)更大開(kāi)關(guān)功率，Qorvo SiC FET如何做到的？
每隔一段時(shí)間便會(huì)偶爾出現(xiàn)全新的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)；當(dāng)這些技術(shù)進(jìn)入市場(chǎng)時(shí)，便會(huì)產(chǎn)生巨大的影響。使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙材料的器件技術(shù)無(wú)疑已經(jīng)做到了這一點(diǎn)。與傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品相比，這些寬帶隙技術(shù)材料在提升功率轉(zhuǎn)換效率和縮減尺寸方面都有了質(zhì)的飛躍。
2023-10-05
開(kāi)關(guān)功率 Qorvo SiC FET
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為什么測(cè)量的動(dòng)態(tài)電阻數(shù)值偏大了？
穩(wěn)壓二極管的動(dòng)態(tài)電阻，?是指在其反向電壓超過(guò)擊穿電壓Uz后， ?電流與電壓的變化量?之間的比值。?這個(gè)比值稱(chēng)為穩(wěn)壓二極管的動(dòng)態(tài)電阻。
2023-10-05
測(cè)量 動(dòng)態(tài)電阻 數(shù)值偏大
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