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負(fù)線性穩(wěn)壓器在1MHz下具有0.8μV RMS噪聲和74dB電源抑制比

發(fā)布時間:2020-12-01 來源:Molly Zhu, ADI 公司 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器廣泛應(yīng)用于噪聲敏感型應(yīng)用已有數(shù)十年了。然而,隨著最新的精密傳感器、高速和高分辨率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 (ADC 和 DAC) 以及頻率合成器 (PLL/VCO) 不斷向傳統(tǒng)的 LDO 穩(wěn)壓器提出挑戰(zhàn),以產(chǎn)生超低輸出噪聲和超高電源紋波抑制 (PSRR),噪聲要求變得越來越難以滿足。例如,在為傳感器供電時,電源噪聲會直接影響測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。開關(guān)穩(wěn)壓器通常用于配電系統(tǒng),以實現(xiàn)更高的整體系統(tǒng)效率。為了構(gòu)建低噪聲電源,LDO 穩(wěn)壓器通常會對噪聲相對較高的開關(guān)轉(zhuǎn)換器的輸出進(jìn)行后級調(diào)節(jié),而無需使用龐大的輸出濾波電容。LDO 穩(wěn)壓器的高頻 PSRR 性能變得至關(guān)重要。
 
2015 年推出的 LT3042 是業(yè)界首款在 1 MHz 下僅有 0.8 μV rms 輸出噪聲和 79 dB PSRR 的線性穩(wěn)壓器。兩款類似的器件 LT3045 和 LT3045-1 可提供更高的額定值和附加功能。所有這些器件都是正 LDO 穩(wěn)壓器。當(dāng)系統(tǒng)具有雙極性器件 (例如運(yùn)算放大器或 ADC) 時,必須在極性電源設(shè)計中使用負(fù) LDO 穩(wěn)壓器。LT3094 是首款具有超低輸出噪聲和超高 PSRR 的負(fù) LDO 穩(wěn)壓器。表 1 列出了 LT3094 及相關(guān)器件的主要特性。
 
典型應(yīng)用
 
LT3094 具有精密電流源基準(zhǔn),后接高性能輸出緩沖器。負(fù)輸出電壓可通過流過單個電阻的 -100 µA 精密電流源進(jìn)行設(shè)置。這種基于電流基準(zhǔn)的架構(gòu)可提供寬輸出電壓范圍 (0 V 至 -19.5 V),并提供幾乎恒定的輸出噪聲、PSRR 和負(fù)載調(diào)節(jié),與設(shè)置的輸出電壓無關(guān)。圖 1 顯示了一個典型應(yīng)用,演示板如圖 2 所示。整體解決方案尺寸大約僅為 10 mm × 10 mm。
 
負(fù)線性穩(wěn)壓器在1MHz下具有0.8μV RMS噪聲和74dB電源抑制比
圖 1.−3.3 V 輸出低噪聲解決方案
 
負(fù)線性穩(wěn)壓器在1MHz下具有0.8μV RMS噪聲和74dB電源抑制比
圖 2.演示電路顯示了一個 -3.3 V 微型解決方案
 
表 1.LT3094 和低噪聲 LDO 的特性
負(fù)線性穩(wěn)壓器在1MHz下具有0.8μV RMS噪聲和74dB電源抑制比
 
LT3094 具有超低輸出噪聲,在 10 Hz 至 100 kHz 范圍內(nèi)為 0.8 µV rms,并且在 1 MHz 時具有 74 dB 超高 PSRR。此外,LT3094 具有可編程電流限制、可編程電源良好閾值、快速啟動功能和可編程輸入至輸出電壓控制 (VIOC)。當(dāng) LT3094 對開關(guān)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行后級調(diào)節(jié)時,如果 LDO 穩(wěn)壓器輸出電壓可變,LDO 穩(wěn)壓器兩端的電壓將通過 VIOC 功能保持恒定。
 
LT3094 通過內(nèi)部保護(hù)功能避免器件損壞,包括具有折返功能的內(nèi)部限流、熱限制、反向電流和反向電壓保護(hù)。
 
直接并聯(lián)實現(xiàn)更高的電流
 
LT3094 可以輕松并聯(lián)以增加輸出電流。圖 3 顯示了使用兩個并聯(lián)的 LT3094 實現(xiàn) 1A 輸出電流的解決方案。為了使兩個器件并聯(lián),將 SET 引腳連接在一起,并在 SET 引腳和地之間放置一個 SET 電阻 RSET。流過 RSET 的電流為 200 µA,是單個器件中 SET 電流量的兩倍。為了獲得良好的均流特性,LT3094 的每個輸出都使用一個 20 mΩ 的小鎮(zhèn)流電阻。
 
負(fù)線性穩(wěn)壓器在1MHz下具有0.8μV RMS噪聲和74dB電源抑制比
圖 3.兩個并聯(lián) LT3094 的原理圖
 
圖 4 顯示了圖 3 中電路的熱性能,其中輸入電壓為 −5 V,輸出電壓為 −3.3 V,運(yùn)行于 1A 負(fù)載電流下。每個器件的溫度大約升至 50℃,表明熱量均勻分布。對于更高輸出電流和更低輸出噪聲,可以并聯(lián)的器件數(shù)量沒有限制。
 
負(fù)線性穩(wěn)壓器在1MHz下具有0.8μV RMS噪聲和74dB電源抑制比
圖 4.兩個并聯(lián) LT3094 的熱圖像
 
具有可變輸出電壓的正負(fù)雙電源
 
電源通常配置由 LDO 穩(wěn)壓器進(jìn)行后級調(diào)節(jié)的開關(guān)轉(zhuǎn)換器,以實現(xiàn)低輸出噪聲和高系統(tǒng)效率。為了在功耗和 PSRR 之間保持適當(dāng)?shù)臋?quán)衡,LDO 穩(wěn)壓器的輸入和輸出之間的優(yōu)化電壓差約為 -1 V。在可變輸出電壓系統(tǒng)中保持這種電壓差很復(fù)雜,但 LT3094 具有跟蹤功能 VIOC,即使輸出電壓變化,它也能在 LDO 穩(wěn)壓器兩端保持電壓恒定。
 
圖 5 是使用 LT8582、LT3045-1 和 LT3094 的雙電源原理圖。LT8582 是一款具有內(nèi)置開關(guān)的雙通道 PWM DC/DC 轉(zhuǎn)換器,能夠從單個輸入產(chǎn)生正輸出和負(fù)輸出。LT8582 的第一個通道配置為 SEPIC 用于產(chǎn)生正輸出,第二個通道是反相轉(zhuǎn)換器用于產(chǎn)生負(fù)電源軌。在負(fù)電源軌中,LT3094 兩端的電壓由 VIOC 電壓控制 
 
負(fù)線性穩(wěn)壓器在1MHz下具有0.8μV RMS噪聲和74dB電源抑制比   (1)
 
其中 VFBX2 為 0 mV,IFBX 為 83.3 µA。將 R2 設(shè)置為 14.7 kΩ,則對于可變輸出電壓可將 VIOC 電壓設(shè)置為 1.23 V。電阻 R1 為 133 kΩ 時,將 LT3094 的輸入電壓限制為 16.5 V,則計算如下
 
負(fù)線性穩(wěn)壓器在1MHz下具有0.8μV RMS噪聲和74dB電源抑制比   (2)
 
電路在 12 V 輸入下運(yùn)行的熱圖像如圖 6 所示。當(dāng)輸出電壓從 ±3.3 V 變化至 ±12 V 時,LT3094 的溫升保持不變。表 2 列出了所有三款器件的電壓和電流。圖 7 顯示了在 12 V 輸入下的 ±5 V 電源瞬態(tài)響應(yīng)。
 
在圖 5 中,除了 LT8582 的輸出電容之外,在 LT3094 的輸入端未放置額外電容。通常,輸入電容會降低輸出紋波,但對 LT3094 來說并非如此。如果 LT3094 具有輸入電容,則開關(guān)轉(zhuǎn)換器的開關(guān)電流將流過輸入電容,從而導(dǎo)致開關(guān)轉(zhuǎn)換器與 LT3094 輸出的電磁耦合。輸出噪聲會增加,從而使 PSRR 降低。如果開關(guān)穩(wěn)壓器位于具 LT3094 兩英寸的范圍以內(nèi),為了獲得最佳的 PSRR 性能,我們建議不要在 LT3094 的輸入端放置電容。
 
負(fù)線性穩(wěn)壓器在1MHz下具有0.8μV RMS噪聲和74dB電源抑制比
圖 5.可調(diào)節(jié)的雙輸出正/負(fù)電源具有高紋波抑制和低溫運(yùn)行性能
 
負(fù)線性穩(wěn)壓器在1MHz下具有0.8μV RMS噪聲和74dB電源抑制比
圖 6.12 V 輸入下的雙電源熱圖像
 
負(fù)線性穩(wěn)壓器在1MHz下具有0.8μV RMS噪聲和74dB電源抑制比
圖 7:12 V 輸入、±5 V 輸出下的雙電源瞬態(tài)響應(yīng)
 
表 2.12 V 輸入、±500 mA 負(fù)載下的雙輸出正/負(fù)電源的電路性能
負(fù)線性穩(wěn)壓器在1MHz下具有0.8μV RMS噪聲和74dB電源抑制比
 
結(jié)論
 
LT3094 是一款具有超低噪聲和超高 PSRR 的負(fù) LDO 穩(wěn)壓器。它采用基于電流基準(zhǔn)的架構(gòu),可使噪聲和 PSRR 性能獨(dú)立于輸出電壓,多個 LT3094 可以輕松并聯(lián),以增加負(fù)載電流并降低輸出噪聲。當(dāng) LT3094 用于對開關(guān)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行后置調(diào)節(jié)時,VIOC 功能可以最大限度地降低 LDO 穩(wěn)壓器的功耗,使其成為可變輸出電壓應(yīng)用的理想選擇。
 
作者簡介
 
Huiyu (Molly) Zhu 是 ADI 公司 Power by Linear™ 部門的高級應(yīng)用工程師。她于 1998 年和 2000 年分別獲得中國清華大學(xué)電子工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位,并于 2005 年獲得弗吉尼亞理工學(xué)院暨州立大學(xué) (位于弗吉尼亞州布萊克斯堡) 電氣工程博士學(xué)位。
 
 
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