【導讀】10納米以下節點的技術突破成為行業發展的關鍵門檻。三星電子與三星綜合技術院聯手，在IEEE國際電子器件會議上公布了——可用于10納米以下制程DRAM的高耐熱核心技術，為這一領域帶來了歷史性突破。這項以非晶態銦鎵氧化物材料為核心的創新，不僅攻克了CoP架構量產的高溫工藝難題，更以扎實的穩定性數據為0a、0b世代DRAM的商用鋪平道路，其對全球存儲芯片行業的重構價值值得深入關注。
IT之家 12 月 17 日消息，據 TheElec，三星電子與三星綜合技術院（SAIT）于當地時間 12 月 10 日在舊金山舉行的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM）上，公開了一項用于實現 10 nm 以下制程 DRAM 的核心技術，相關技術有望應用于 0a 或 0b 世代 DRAM 產品。
相關成果以“用于 10nm 以下 Cell-on-Periphery（CoP）垂直溝道 DRAM 晶體管的高耐熱非晶氧化物半導體晶體管”為題發表。
該 DRAM 結構采用 CoP 架構，即將存儲單元垂直堆疊在外圍電路之上。以往在該結構中，由于在存儲單元堆疊工藝過程中會產生約 550 ℃ 的高溫，位于下層的外圍晶體管容易受損，導致性能下降。
三星電子通過采用非晶態銦鎵氧化物（InGaO）材料解決了這一問題。“我們首次演示了可耐受 550 攝氏度高溫、溝道長度為 100 納米的非晶 InGaO 基高耐熱垂直溝道晶體管（VCT），并支持將該晶體管集成到單片式（Monolithic）CoP DRAM 架構中。”
溝道是半導體晶體管中電子流動的路徑，其長度指源極與漏極電極之間的距離。溝道越短，電子移動距離越小，晶體管開關速度越快，功耗也越低，同時晶體管尺寸得以縮小，從而實現更高的集成度。
三星電子進一步說明：“在 550 攝氏度的氮氣熱處理（退火）工藝后，器件的閾值電壓變化（ΔVt）保持在 0.1 eV 以內，漏極電流幾乎沒有出現退化。”
材料革新打破工藝桎梏，成為超微縮DRAM的核心密鑰。三星選擇非晶態銦鎵氧化物（InGaO）作為晶體管核心材料，并非簡單的替代嘗試，而是精準瞄準CoP架構量產的最大痛點——550℃高溫損傷問題。這種材料構建的垂直溝道晶體管（VCT），在經歷同規格高溫退火工藝后，閾值電壓變化控制在0.1eV內且漏極電流無明顯退化，徹底解決了存儲單元與外圍電路垂直集成的“熱兼容”難題。
CoP架構的垂直創新與短溝道設計，構建高密度存儲雙重優勢。此次技術突破實現了“架構革新+性能優化”的雙重升級：CoP架構通過存儲單元垂直堆疊，打破了傳統分離式架構的空間限制，而100納米的短溝道設計則從晶體管核心性能發力——更短的電子流動路徑直接提升開關速度、降低功耗，同時縮小器件尺寸，二者結合讓超微縮制程下的高集成度與高性能形成正向循環，為0a/0b世代DRAM奠定了“空間省、效率高”的底層優勢。
量化數據支撐技術可靠性，加速實驗室成果向商用轉化。與單純的技術概念發布不同，三星此次同步披露的多項核心性能數據，成為技術可行性的有力背書。從550℃高溫下的電學參數穩定性，到材料特性與器件性能的關聯驗證，這種“技術突破+數據佐證”的模式，不僅增強了行業對該技術的信任度，更縮短了工藝優化、良率提升的探索周期。
