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倍頻式IGBT高頻感應加熱電源負載短路的保護

發布時間:2008-11-03 來源:浙江大學電氣工程學院

中心論題:

  • 分析倍頻式ICBT高頻感應加熱電源主電路工作原理
  • 分析倍頻式ICBT高頻感應加熱電源負載短路,提出相關電路參數的選擇原則
  • 實驗驗證

解決方案:

  • 采用IGBT作為功率開關,利用倍頻電路的特性將電路推向高頻化
  • 選擇合適的Cd和LT的值,在一定程度上減小浪涌電流的大小

 

引言
絕緣柵雙極型晶體管ICBT(Insulated Gale Bipolar Translstor)是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,它既具有MOSFET器件驅動簡單和快速的優點,又具有雙極型器件容量大的特點。這些優點使得IGBT在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用。

采用IGBT作為功率開關,利用倍頻電路的特性將電路推向高頻化,通過改變內外槽路頻率差的大小,可以實現功率的調節和負載的匹配。

在工件淬火和焊接等工藝中,由于各種原因會造成電源負載端突然短路。本文通過對負載短路時的電路特性的研究,提出了電路參數的選擇原則。

主電路工作原理分析
倍頻式ICBT高頻感應加熱電源主電路如圖1所示。電路在穩態下,通過S1~S4和D1~D4的輪流導通,換流支路和隔直電容之間進行充放電,產生的振蕩電流流經負載交流等效電阻RH,構成負載電流的正負半波。

其一個工作循環可分為表1中幾個階段。



 
負載短路分析
在負載短路時,逆變橋囚侵入干擾信號而產生直通短路,逆變橋輸入電壓突降為零。這時,原來儲藏在濾波電感Ld中的磁能和隔直電容Cd中的電能均分別以短路電流ids和iHs的形式向逆變電路釋放,等效電路圖為圖2(a)所示。橋中IGBT流過的短路電流is為

 
式中:ωs為振蕩電流的振蕩周期;

δs為振蕩電流的衰減系數。

這一浪涌電流由檢測電路檢巾并使保護電路立即動作,發出過流信號,整流電路即由整流狀態向逆變電路過渡。逆變橋關斷時的等效電路如圖2(b)所示,短路電流ids移至Cd支路,Cd被充電,Cd端壓逐漸上升,短路電流下降,此后短路電流在Cd、Ld、以及吸收電路中R和C構成的回路中作振蕩衰減,直至能量消耗完為止。ids沿Ld流過,由于電路的慣性較大,電流增長不多,近似于短路前的工作電流Ido,于是浪涌電路的幅值為Ism=IHsm+Ido (4)


 
要減小負載短路時產生的浪涌電流對功率管的沖擊,一般采用兩種方案:其一,實時檢測電流大小,當超過保護設定值時,保護電路立即動作,這就要求保護電路的動態特性非常好,包括檢測電路的延時、保護動作電路的延時,在高頻電路中實現起來是很困難的;其二,主電路中采取限流元器件,使電路發生短路時,電流上升的速度緩慢,這樣保護電路有充足的時間來響應。在本系統中,考慮到電路頻率較高,容量較大,發生短路時要求保護很迅速,因此采用以上兩種方案相結合:檢測電路檢測到過流時,采用降柵壓慢關斷技術,增強功率器件的瞬時過流能力,而后保護電路動作;同時,從式(3)可以看出,選擇合適的Cd和LT的值,可以在一定程度上減小浪涌電流的大小。

所謂降柵壓慢關斷技術指的是,當IGBT出現過流時,先將其柵極驅動電壓降低,然后將其關斷,一是延長了IGBT能夠承受過流的時間,二是可以降低器件受到過流沖擊的幅度。過流時器件通態壓降升高,管子瞬時熱損耗急劇增加,為防止器件熱損壞,過流時間應足夠短,一般<10μs。SHARP公司的光耦合器PC929將這一功能和驅動電路集成在一起,器件內部原理圖如圖3所示。

 
從圖3中可以看出,當過流發生時,PC929的腳⑨檢測到IGBT導通壓降升高,IGBT protectorcircuit作用溝肐GBT的驅動電壓降低,以限制IGBT的短路沖擊電流幅值。同時,可以將短路信號送至控制電路,并將IGBT驅動信號關斷,避免器件因過流而損壞。將保護電路和驅動電路集成,既可以減小保護電路響應時間,又可以減小外界噪聲干擾。

下面通過仿真來選擇合適的Cd和LT之值,從而減小短路浪涌電流峰值。一般來講,IGBT的瞬時承受浪涌電流的能力是其額定電流的2~3倍。因此,在該電路設計時取IGBT的瞬時承受的電流為250A,當直流電壓Ucd=500V時,為了使短路發生時不至于燒壞IGBT,從式(3)可知,Cd和LT必須滿足式(5)。

 
從減小短路電流的角度看,Cd要盡可能小,LT要盡可能大。但Cd過小,電路工作時存在以下缺點:隔直效果不理想;輸出電壓正弦失真度過高,輸出電壓降低,加熱效果不理想;反并二極管重新導通,增加二極管的電流容量,如圖4所示。

 
當LT過大時,電路工作時存在以下缺點:LT上的高頻壓降過高,使得輸出電壓降低;管子關斷時承受的正向阻斷電壓升高;內槽路諧振頻率減小,IGBT和二極管出現二次導通,如圖5所示。

 
圖6是LT/Cd=4,Cd=0.75μF,LT=3μH時的仿真波形,通過與圖4和圖5的對比可以看出,此時參數選擇最為合適。

 
上述仿真波形中存在的振蕩,均是由器件的寄生電容、二極管反向恢復過程引起的。圖7是在LT從3μH變化到8μH時,管子關斷時承受的電壓波形和負載輸出電壓波形。可以看出LT在這一范圍取值是比較合適的。

 
實驗結果
結合前面的分析,做了相關的實驗,其波形如圖8所示。該實驗中IGBT的工作頻率是50kHz,負載輸出頻率為100kHz。

 
圖8中曲線1是流過IGBT的電流波形,由于電流互感器方向與電流實際方向相反,所以,與曲線2所示的IGBT兩端電壓uds的波形邏輯相反。

從波形來看,實驗波形驗證了前面分析的正確性。

結語
采用IGBT作為功率開關,利用倍頻電路的特性可以將電路推向高頻化。在負載短路時,選擇合適的Cd和LT的值,可以在一定程度上減小浪涌電流的大小,從而更好地保護電路,保證了電路的可靠運行。

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