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功率電感器核心技術(shù)解析：原理、選型策略與全球品牌競(jìng)爭(zhēng)力圖譜
功率電感器作為電力電子系統(tǒng)的核心無(wú)源元件，通過(guò)導(dǎo)體繞制磁芯構(gòu)成閉合回路，在電流通過(guò)時(shí)儲(chǔ)存磁能并抑制電流突變。其基礎(chǔ)原理遵循法拉第電磁感應(yīng)定律：當(dāng)電流變化時(shí)，磁通量的改變將產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)，阻礙電流變化，從而平滑輸出電流、濾除高頻噪聲并提升系統(tǒng)效率16。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，功率電感器...
2025-07-04
功率電感器 磁芯材料 DC-DC轉(zhuǎn)換器
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MHz級(jí)電流測(cè)量突破：分流電阻電感補(bǔ)償技術(shù)解密
在第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）驅(qū)動(dòng)的ns級(jí)開(kāi)關(guān)場(chǎng)景中，表面貼裝分流電阻（SMD CVR）的寄生電感已成為高頻電流測(cè)量的首要瓶頸。實(shí)測(cè)表明：2mΩ/2512封裝電阻在150V/ns瞬態(tài)下產(chǎn)生＞38%電壓過(guò)沖，導(dǎo)致1MHz頻點(diǎn)測(cè)量誤差飆升至8.7%（Vishay WSLP2512測(cè)試數(shù)據(jù)），嚴(yán)重制約車載電控、射頻功放等對(duì)DC-3MHz帶寬、±...
2025-07-01
分流電阻 寄生電感補(bǔ)償 高頻電流測(cè)量技術(shù) VNA頻響 RC濾波器設(shè)計(jì) 功率器件 電流檢測(cè) 開(kāi)關(guān)電源
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DigiKey B站頻道火出圈：粉絲破10萬(wàn)大關(guān)，好禮送不停
全球電子元器件分銷巨頭DigiKey宣布其B站官方頻道粉絲量突破10 萬(wàn)大關(guān)，成為電子元器件領(lǐng)域關(guān)注度最高的企業(yè)賬號(hào)。為慶祝這一里程碑，DigiKey將面向平臺(tái)粉絲發(fā)起互動(dòng)活動(dòng)，抽取20位參與者贈(zèng)送專屬技術(shù)禮包。
2025-07-01
DigiKey 得捷電子 B站官方號(hào) B站粉絲活動(dòng) 工程師福利
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蓉城再掀技術(shù)革命！第三十屆國(guó)際電子測(cè)試測(cè)量大會(huì)聚焦射頻前沿
在信息革命加速演進(jìn)的今天，微波射頻技術(shù)作為5G通信、衛(wèi)星導(dǎo)航、智能探測(cè)等戰(zhàn)略領(lǐng)域的“隱形引擎”，正經(jīng)歷著技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)融合的雙重飛躍。從毫米波雷達(dá)到太赫茲成像，從空天一體化網(wǎng)絡(luò)到量子通信終端，射頻技術(shù)的突破直接定義著下一代信息基礎(chǔ)設(shè)施的邊界。作為中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地，成都依托其國(guó)...
2025-06-30
微波射頻技術(shù)研討會(huì) 5G通信技術(shù) 衛(wèi)星導(dǎo)航 射頻芯片設(shè)計(jì)
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攻克28G PAM4抖動(dòng)難題！差分輸出VCXO如何重塑光通信時(shí)鐘架構(gòu)
在400G/800G光模塊的56Gbaud PAM4調(diào)制系統(tǒng)中，時(shí)鐘抖動(dòng)每增加0.1ps RMS，誤碼率將飆升300%。傳統(tǒng)單端CMOS時(shí)鐘源因共模噪聲干擾，難以滿足高速SerDes對(duì)相位穩(wěn)定性的嚴(yán)苛需求。差分輸出VCXO（壓控晶體振蕩器）通過(guò)對(duì)稱差分信號(hào)（LVDS/HCSL） 實(shí)現(xiàn)共模噪聲抑制，結(jié)合±50ppm頻率微調(diào)能力，將相位抖動(dòng)壓...
2025-06-27
差分輸出VCXO 低抖動(dòng)時(shí)鐘源 光通信時(shí)鐘同步 相位噪聲優(yōu)化 SerDes時(shí)鐘解決方案 LVDS振蕩器
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一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-06-26
安森美 SiC JFET并聯(lián)技術(shù) 固態(tài)斷路器解決方案 大電流SiC JFET Combo JFET結(jié)構(gòu)
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控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設(shè)計(jì)中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。一個(gè)設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)目刂苹芈房赡軐?dǎo)致電源振蕩、輸出紋波過(guò)大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應(yīng)速度直接影響到電源對(duì)負(fù)載變化和輸入電壓波動(dòng)的適應(yīng)能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。
2025-06-25
LTspice 波特圖分析 控制回路仿真 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 電源穩(wěn)定性優(yōu)化 相位裕度 增益帶寬
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馴服電源幽靈：為敏感器件打造超低噪聲供電方案
在射頻通信、精密測(cè)量、高分辨率數(shù)據(jù)采集等尖端領(lǐng)域，毫伏級(jí)的電源噪聲都可能成為性能的致命殺手。鎖相環(huán)（PLL）的相位噪聲惡化、壓控振蕩器（VCO）的輸出頻率漂移、高分辨率模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的有效位數(shù)（ENOB）下降——這些敏感電路的卓越性能，無(wú)一不建立在超低噪聲、超高純凈度的電源基礎(chǔ)之上。本...
2025-06-24
超低噪聲電源設(shè)計(jì) 射頻電源解決方案 μV級(jí)電源噪聲 低噪聲LDO 低噪聲電源模塊
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攻克次諧波振蕩：CCM反激斜坡補(bǔ)償?shù)墓β史旨?jí)指南
在CCM反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，峰值電流模式控制（Peak Current Mode Control）因其優(yōu)異的輸入電壓抑制能力、固有的逐周期限流保護(hù)和相對(duì)簡(jiǎn)化的環(huán)路補(bǔ)償而備受青睞。然而，當(dāng)占空比超過(guò)50%時(shí)，系統(tǒng)會(huì)出現(xiàn)固有的次諧波振蕩不穩(wěn)定性問(wèn)題。斜坡補(bǔ)償技術(shù)正是攻克這一難題的核心手段，其設(shè)計(jì)策略需隨功率等級(jí)...
2025-06-23
CCM反激 斜坡補(bǔ)償 反激轉(zhuǎn)換器 次諧波振蕩 斜坡補(bǔ)償設(shè)計(jì)
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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