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開(kāi)發(fā)板上新！ST工業(yè)自動(dòng)化開(kāi)發(fā)板、瑞薩工業(yè)千兆網(wǎng)卡開(kāi)發(fā)板等優(yōu)質(zhì)方案
在工控領(lǐng)域，設(shè)備自動(dòng)化升級(jí)普遍采用購(gòu)買工控主板或工控機(jī)，來(lái)快速實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)采集或控制功能。工控主板是主要用于工業(yè)電腦來(lái)幫助處理工業(yè)類項(xiàng)目的專用型主板，采用低功耗芯片，節(jié)省能耗、抗潮抗高溫。因?yàn)樾枰m應(yīng)一些惡劣的工業(yè)環(huán)境，所以對(duì)其性能有很高的要求。因此，嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)是一個(gè)先決條件...
2025-03-12
開(kāi)發(fā)板 工業(yè)自動(dòng)化 瑞薩 工業(yè)千兆網(wǎng)卡
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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來(lái)越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)。
2025-03-06
SiC JFET并聯(lián)
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工業(yè)自動(dòng)化中的 Raspberry Pi：簡(jiǎn)化經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的邊緣計(jì)算
工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)（見(jiàn)下圖）的關(guān)鍵組成部分包括傳感器、控制器、執(zhí)行器、人機(jī)界面 (HMI)、通信網(wǎng)絡(luò)、電源、驅(qū)動(dòng)器和安全系統(tǒng)。傳感器負(fù)責(zé)檢測(cè)環(huán)境變化并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。可編程邏輯控制器 (PLC) 和工業(yè)個(gè)人計(jì)算機(jī) (IPC) 等控制器負(fù)責(zé)處理來(lái)自傳感器的輸入信號(hào)，并通過(guò)執(zhí)行控制算法來(lái)管理執(zhí)行器的操作。
2025-03-04
工業(yè)自動(dòng)化 Raspberry Pi 邊緣計(jì)算
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泰克自動(dòng)化接收器測(cè)試方案，提升PCIe測(cè)試驗(yàn)證精度與效率
近二十年來(lái)，PCI Express技術(shù)已成為廣泛采用的高速串行接口連接標(biāo)準(zhǔn)。最新的 PCIe規(guī)范滿足了數(shù)據(jù)密集型市場(chǎng)的需求，例如人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)和高性能計(jì)算。泰克PCIe 自動(dòng)化測(cè)試解決方案能夠處理設(shè)置和校準(zhǔn)，顯著降低了測(cè)試復(fù)雜性。與低噪音測(cè)量硬件相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確且可重復(fù)的信號(hào)完整性測(cè)量...
2025-02-24
泰克 自動(dòng)化接收器 PCIe測(cè)試
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盤點(diǎn)電機(jī)控制器用到的主要電子元器件與實(shí)戰(zhàn)方案
電機(jī)控制器的硬件通常分為控制板和驅(qū)動(dòng)板。控制板主要包括主控芯片、CAN網(wǎng)絡(luò)、采樣電路、旋變電路和電源電路等。下文將詳細(xì)介紹電機(jī)控制器主要用到的電子元器件，并分享一些已量產(chǎn)的伺服電機(jī)控制方案及其技術(shù)實(shí)現(xiàn)方式，以作參考。
2025-02-24
電機(jī)控制器 電子元器件
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可再生電力：道達(dá)爾能源將在15年內(nèi)為意法半導(dǎo)體法國(guó)供電1.5億千瓦時(shí)
道達(dá)爾能源公司 (TotalEnergies) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 簽署了一份實(shí)體購(gòu)電協(xié)議，為意法半導(dǎo)體位于法國(guó)的工廠供應(yīng)可再生電力，這份為期十五年的合同于 2025 年 1 月生效，總購(gòu)電量為 1.5 億千瓦時(shí) (TW...
2025-02-18
可再生電力 道達(dá)爾能源 意法半導(dǎo)體
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低壓電源MOSFET設(shè)計(jì)
低抗性（RDS（ON））以減少傳導(dǎo)過(guò)程中的功率損失，從而提高能源效率。當(dāng)設(shè)備打開(kāi)時(shí)，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對(duì)于效率至關(guān)重要，因?yàn)榈蚏D（ON）意味著在傳導(dǎo)過(guò)程中降低電阻損失高開(kāi)關(guān)速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻切換電路等應(yīng)用中至關(guān)重要。
2025-02-14
低壓電源 MOSFET
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如何防止掉電狀況下的系統(tǒng)出錯(cuò)？
嵌入式系統(tǒng)等需要進(jìn)行大量計(jì)算和數(shù)據(jù)處理的應(yīng)用，通常使用微控制器、微處理器和現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)等器件來(lái)執(zhí)行復(fù)雜的計(jì)算例程，因?yàn)檫@些器件具有多功能性、高速度和靈活性。然而，這些推薦使用的器件也存在限制和不同的電源要求，如果在系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的早期階段未加考慮，系統(tǒng)的性能和可靠性可能會(huì)...
2025-01-17
掉電狀況 系統(tǒng)出錯(cuò)
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IGBT的并聯(lián)知識(shí)點(diǎn)梳理：靜態(tài)變化、動(dòng)態(tài)變化、熱系數(shù)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要了解這些，...
2025-01-16
IGBT 并聯(lián) 靜態(tài)變化 動(dòng)態(tài)變化 熱系數(shù)
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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