亚洲美女爱爱-夜夜添夜夜添夜夜摸夜夜摸-97碰成人国产免费公开视频-国产午夜大片-www黄av-国产94在线 | 亚洲-亚洲午夜久久久精品一区二区三剧-精品视频亚洲-久久久久国色av∨免费看-黄色片一区二区-69福利视频-国产老头和老头xxxxx免费-99精品视频一区在线观看-日韩三级黄色毛片-亚洲激情图片区-黄色a一级-99re6在线-91九色视频-日本欧美久久久-成人国产精品免费观看

公司事件：

• Digi-Key現在正在庫存面向通用微波應用的Cree氮化鎵(GaN)HEMT晶體管

行業影響：

• 是高效率、多倍頻帶寬性能方面微波應用的理想選擇
• 占位面積較小的封裝中可提供高達6GHz的高頻率、高增益及低寄生電容

日前，Digi-Key Corporation與Cree, Inc.共同宣布，Digi-Key現在正在庫存面向通用微波應用的Cree氮化鎵(GaN)HEMT晶體管。Digi-Key的Cree產品系列包括SiC功率元件、SiC MESFET、高亮度與高功率LED以及現在還包括的GaN HEMT晶體管。

功率水平介于10W～90W的Cree GaN HEMT通用晶體管是需要高效率、多倍頻帶寬性能方面微波應用的理想選擇。這些晶體管在占位面積較小的封裝中可提供高達6GHz的高頻率、高增益及低寄生電容。這可實現更小、更亮且能效更高的系統，與采用其他微波晶體管技術相比，這些系統通常所需的放大器元件數較少。