亚洲美女爱爱-夜夜添夜夜添夜夜摸夜夜摸-97碰成人国产免费公开视频-国产午夜大片-www黄av-国产94在线 | 亚洲-亚洲午夜久久久精品一区二区三剧-精品视频亚洲-久久久久国色av∨免费看-黄色片一区二区-69福利视频-国产老头和老头xxxxx免费-99精品视频一区在线观看-日韩三级黄色毛片-亚洲激情图片区-黄色a一级-99re6在线-91九色视频-日本欧美久久久-成人国产精品免费观看

SiHG47N60S的產品特性：

• 具有0.07Ω的超低最大導通電阻
• 柵極電荷減小到216nC
• 采用TO-247封裝
• 符合RoHS指令2002/95/EC

SiHG47N60S的應用范圍：

• 太陽能電池、風力發電機
• 電機控制電源應用

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET。 SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。

柵極電荷與導通電阻的乘積是用于功率轉換應用中MOSFET的優值系數(FOM)，SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC，是業界此類器件當中最低的。

SiHG47N60S的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而在太陽能電池和風力發電機的逆變器、通信、服務器和電機控制電源應用中的逆變器電路和脈寬調制(PWM)全橋拓撲中節約能源。

新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術制造，這種技術為減小通態電阻、在雪崩和通信模式中承受高能脈沖進行了有針對性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC，為保證可靠工作進行了完備的雪崩測試。

新款功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。