亚洲美女爱爱-夜夜添夜夜添夜夜摸夜夜摸-97碰成人国产免费公开视频-国产午夜大片-www黄av-国产94在线 | 亚洲-亚洲午夜久久久精品一区二区三剧-精品视频亚洲-久久久久国色av∨免费看-黄色片一区二区-69福利视频-国产老头和老头xxxxx免费-99精品视频一区在线观看-日韩三级黄色毛片-亚洲激情图片区-黄色a一级-99re6在线-91九色视频-日本欧美久久久-成人国产精品免费观看

EPC2010 FET新品特性：

• 最大RDS(ON)值為25mΩ
• 柵極施加電壓是5V

EPC2010 FET應用范圍：

• 高速DC/DC電源
• 負載點轉換器
• D類音頻放大器
• 硬件開關和高頻電路

宜普電源轉換公司宣布推出了第二代eGaN場效應晶體管(FET)系列產品中的最新成員EPC2010，具更卓越性能，不僅環保、不含鉛，而且符合RoHS(有害物質限制)指令。

EPC2010 FET是一款200VDS器件，最大RDS(ON)值為25mΩ，柵極施加電壓是5V。這種eGaN FET與第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明顯的性能優勢。

EPC2010將脈沖電流額定值提高到60A(而EPC1010為40A)，并且改進了很低柵極電壓時的RDS(ON)值，電容值也更低。

與具有相同導通電阻值的先進硅功率MOSFET相比，EPC2010體積更小，開關性能更高出許多倍。受益于更高性能eGaN FET的應用很多，其中包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬件開關和高頻電路。

“宜普是第一家實現氮化鎵功率場效應晶體管商用化的公司。隨著第二代產品的推出，宜普進一步提升了氮化鎵場效應晶體管的性能標桿。另外，宜普的新一代eGaN產品也是首個無鉛化且符合RoHS的氮化鎵場效應晶體管。” 宜普公司合夥創始人及首席執行官Alex Lidow表示。