產品特性：
- +4 V 至 +12.6 V 單電源支持各種應用
- 具有7.6 A 高峰值關斷電流功能
- -40 攝氏度至 +125 攝氏度的寬泛工作溫度
- 高靈活低側柵極驅動器帶來高效率與高電源密度
適用范圍：
- 應用于高性能電信、網絡以及數據中心
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動器。LM5114 可驅動同步整流器與功率因數轉換器等低側應用中的 GaN FET 與 MOSFET。該系列加上 2011 年推出的業界首款 100 V 半橋 GaN FET 驅動器 LM5113，可為高性能電信、網絡以及數據中心應用中使用的大功率 GaN FET 與 MOSFET 提供完整的隔離式 DC/DC 轉換驅動器解決方案。
LM5114 可通過 5 V 電源電壓的獨立源極與基極輸出（sink and source output）驅動標準 MOSFET 與 GaN FET。它具有使用較大或并行 FET 的大功率應用中所需的 7.6 A 高峰值關斷電流功能。此外，提高的下拉強度還有助于該器件驅動 GaN FET。獨立源極與汲極輸出可取消驅動器路徑中的二極管，準確控制升降時間。
LM5114 低側柵極驅動器的主要特性與優勢：
• 可優化升降時間的獨立源極與汲極輸出支持更高的效率；
• +4 V 至 +12.6 V 單電源支持各種應用；
• 0.23 歐姆的開漏下拉汲極輸出可避免無意接通；
• 7.6 A/1.3 A 峰值汲極／源極驅動器電流可最大限度減少電壓突變(DV/DT)的影響；
• 匹配反相及非反相輸入之間的延遲時間，可降低停滯時間損耗；
• 12 ns 典型傳播延遲可在提高效率的同時，支持高開關頻率；
• 高達 14 V 的邏輯輸入（不受 VCC 影響）；
• -40 攝氏度至 +125 攝氏度的寬泛工作溫度。
