產品特點：
- 該器件具有基準通態電阻和高封裝電流額定值
- 在4.5V Vgs下實現非常低的RDS(on)
- 電壓范圍為40V至100V
- 已獲得工業級和MSL1潮濕敏感度認證
應用領域：
- 高功率DC電機和電動工具、工業電池及電源應用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業電池及電源應用。
新系列基準MOSFET采用了IR最新的溝道技術，可在4.5V Vgs下實現非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護頻帶，并可減少由多個MOSFET共享高電流的并行拓撲結構的元件數目。與典型封裝額定值相比，由于封裝電流額定值高達195A，TO-220、D2PAK和TO-262封裝的改善超過了60%；與標準D2PAK封裝相比，7引腳D2PAK進一步降低了多達16%的RDS(on)，功能更為完善。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“新推出的邏輯電平柵極驅動溝道MOSFET具有基準RDS(on) ，能夠由微控制器或弱電池驅動，提升其在輕負載條件下的效率。這些新元件非常適合高電流DC-DC轉換和DC電機驅動應用。”
新型邏輯電平溝道MOSFET系列的電壓范圍為40V至100V。該系列已獲得工業級和MSL1潮濕敏感度認證，更具備所有標準功率封裝，包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引腳D2PAK。新元件不含鉛并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。
產品的基本規格如下：
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元件編號
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封裝
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Bvdss (V)
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在4.5Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ)
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在25°C 下的Id (A)
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在4.5Vgs下的
典型Qg (nC)
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IRLS3034-7PPBF
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D2PAK-7
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40
|
1.7
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*240
|
108
|
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IRLB3034PBF
|
TO-220
|
40
|
2.0
|
*195
|
108
|
|
IRLS3034PBF
|
D2PAK
|
40
|
2.0
|
*195
|
108
|
|
IRLS3036-7PPBF
|
D2PAK-7
|
60
|
2.2
|
*240
|
91
|
|
IRLB3036PBF
|
TO-220
|
60
|
2.8
|
*195
|
91
|
|
IRLS3036PBF
|
D2PAK
|
60
|
2.8
|
*195
|
91
|
|
IRLS4030-7PPBF
|
D2PAK-7
|
100
|
4.1
|
190
|
87
|
|
IRLB4030PBF
|
TO-220
|
100
|
4.5
|
180
|
87
|
|
IRLS4030PBF
|
D2PAK
|
100
|
4.5
|
180
|
87
|
