產(chǎn)品特性：
- 漏極效率大于50%
- 增益：17dB
- 達500W的耐用度
- 無毒封裝、符合ROHS標準
應用范圍：
- L波段雷達應用
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）擴張其業(yè)界領先的RF Power 晶體管產(chǎn)品線，近日推出最新的針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS)晶體管，該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達500W的突破性的RF輸出功率。
針對大范圍的L波段雷達應用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管設置了新的效率標準（漏極效率大于50%）、增益（17dB）和達500W的耐用度。
恩智浦半導體RF功率產(chǎn)品線全球產(chǎn)品市場經(jīng)理Mark Murphy表示：“作為首個推出L波段和S波段應用的LDMOS的公司，恩智浦高效LDMOS RF功率晶體管產(chǎn)品線建立了一個嶄新的業(yè)界標準，為我們的客戶提供市場上表現(xiàn)最優(yōu)異和最耐用的晶體管。RF輸出功率達到500W這個突破，是恩智浦通力合作、貼近客戶需求的結果，使我們推出了可縮短上市時間的易于進行設計導入的晶體管。
恩智浦L波段RF晶體管(BLL6H1214-500)的主要表現(xiàn)參數(shù)包括：
- 500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100µs脈沖寬度，25%占空比時）
- 17dB增益
- 50%漏極效率
- 更佳耐用度
- 能夠承受高達5dB的過驅動能力
- 更佳脈沖頂降 （低于0.2dB）
- 供電電壓50V
- 無毒封裝、符合ROHS標準
恩智浦的這款器件結合了雙極管的功率密度和適用于L波段雷達設計的LDMOS技術優(yōu)勢，其環(huán)保的陶瓷封裝，可與BeO封裝互相替代。
