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美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT
近日，美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT，快速高效的40A、70A和95A晶體管提供業(yè)界最佳的開關(guān)損耗性能。專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-21
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一種IGBT元件自損快速檢測新方法
IGBT元件往往采用多并聯(lián)形式，因此如果某個IGBT元件發(fā)生故障，將會導(dǎo)致并聯(lián)回路中的大量IGBT損壞。而常用的快速檢測方法中或多或少存在著一些無法避免的缺點，因此需要一種新的快速檢測法來滿足滿足IGBT保護(hù)的實際要求。
2013-08-21
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IGBT驅(qū)動和保護(hù)電路的應(yīng)用設(shè)計
IGBT的驅(qū)動和保護(hù)電路是電路設(shè)計的難點和重點，是整個裝置運行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。本文設(shè)計了一個驅(qū)動電路，可驅(qū)動l700v，200～300A的IGBT。硬件上實現(xiàn)了對兩個IGBT的互鎖，并設(shè)計了可以直接給兩個IGBT供電的驅(qū)動電源。
2013-08-21
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使功耗降至最低，太陽能逆變器IGBT怎么選？
在太陽能逆變器應(yīng)用中，IGBT能比其他功率元件提供更多的效益，包括高載流能力、使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合、以電壓而非電流進(jìn)行控制。但是，要使太陽能應(yīng)用中功耗降至最低，IGBT該怎么選？本來用圖文數(shù)據(jù)告訴你！
2013-08-16
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常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動技術(shù)匯總
IGBT以及MOSFET器件柵極和源極之間構(gòu)成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和關(guān)斷時需要一定的動態(tài)驅(qū)動功率。更由于漏極到柵極的密勒電容Cdg，柵極驅(qū)動功率往往是不可忽視的。本文盤點了常用的幾種隔離驅(qū)動技術(shù)，供大家參考。
2013-08-15
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【拆解】變頻器IGBT模塊拆解學(xué)習(xí)
都知道IGBT是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。筆者此次從變頻器中拆得一個IGBT模塊，估計看過的人不多，特拿來與大家分享學(xué)習(xí)。
2013-08-15
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IGBT電路保護(hù)新方法：將穩(wěn)壓管換為新型TVS
目前IGBT基本都采用粗放式的設(shè)計模式——所需余量大系統(tǒng)大，但無法抵抗干擾和失效問題。如何突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，進(jìn)行IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計？本文對傳統(tǒng)IGBT失效防護(hù)進(jìn)行改進(jìn)，使用新方法進(jìn)行IGBT失效防護(hù)和柵極過電壓、過電流防護(hù)。
2013-08-13
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隔離驅(qū)動IGBT功率器件設(shè)計技巧八大問
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅(qū)動IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
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IGBT應(yīng)用常見問題及解決方法匯總
IGBT作為新型的電力電子器件，得到了非常廣泛的應(yīng)用。隨著電力電子技術(shù)的高頻大功率化發(fā)展，IGBT在應(yīng)用中存在的問題越來越突出，本文就IGBT應(yīng)用中的常見問題進(jìn)行分析，并給出了常用的解決方法。
2013-08-10
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解讀各種IGBT驅(qū)動電路和IGBT保護(hù)方法
保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用，本文討論IGBT驅(qū)動電路和IGBT的保護(hù)，包括驅(qū)動電路EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路、2SD315A集成驅(qū)動模塊、IGBT短路失效機理和IGBT過流保護(hù)方法。
2013-08-08
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IGBT功率放大電路的三種保護(hù)方法
基于IGBT的大功率開關(guān)放大電路運行時功率大、電壓高，常受到容性或感性負(fù)載的沖擊，加之IGBT的耐電應(yīng)力沖擊能力差，因此，設(shè)計IGBT功率放大電路的保護(hù)電路是非常有必要的。本文提出的三種不同形式的電路，完全滿足IGBT器件的保護(hù)需求。
2013-08-07
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提升IGBT開關(guān)速度的小技巧
IGBT關(guān)斷損耗大、拖尾嚴(yán)重制約了其在高頻運用的發(fā)展，而造成IGBT延遲開和關(guān)的原因主要有兩方面。本文將分別針對這兩方面，提出相應(yīng)的解決方法，解決器件拖尾問題，提升IGBT開關(guān)速度。
2013-08-06
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