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直流電能計(jì)量應(yīng)用的發(fā)展與技術(shù)優(yōu)勢(shì)
在基于寬帶隙半導(dǎo)體（例如GaN和SiC器件）的高效經(jīng)濟(jì)型功率轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展的推動(dòng)下，許多應(yīng)用現(xiàn)在都看到了轉(zhuǎn)換為直流電能的好處。因此，精確的直流電能計(jì)量變得越來越重要，特別是涉及到電能計(jì)費(fèi)的地方。本文將討論直流計(jì)量在電動(dòng)汽車充電站、數(shù)據(jù)中心、微電網(wǎng)等方面的發(fā)展機(jī)會(huì)，以及由ADI推出的相關(guān)解決方案。
2024-07-12
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意法半導(dǎo)體公布2024年第二季度財(cái)報(bào)和電話會(huì)議時(shí)間安排
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將在2024年7月25日歐洲證券交易所開盤前公布2024年第二季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。
2024-07-12
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電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級(jí)熱分析
本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測(cè)量每顆裸片在連續(xù)工作時(shí)的溫度，分析兩個(gè)電驅(qū)逆變模塊驗(yàn)證，該測(cè)溫系統(tǒng)的驗(yàn)證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個(gè)模塊內(nèi)的裸片。我們將從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中提取一個(gè)數(shù)學(xué)模型，根據(jù)Vth 選擇標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)測(cè)當(dāng)逆變器工作在電動(dòng)汽車常用的電壓和功率范圍內(nèi)時(shí)的熱不平衡現(xiàn)象。此外，我們還能夠延長(zhǎng)測(cè)試時(shí)間，以便分析在電動(dòng)汽車生命周期典型電流負(fù)荷下的芯片行為。測(cè)試結(jié)果表明，根據(jù)閾壓為模塊選擇適合的裸片可以優(yōu)化散熱性能，減少熱失衡現(xiàn)象。
2024-07-11
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DIC EXPO 2024國(guó)際（上海）顯示技術(shù)及應(yīng)用創(chuàng)新展完美收官！
DIC EXPO 2024國(guó)際（上海）顯示技術(shù)及應(yīng)用創(chuàng)新展今日?qǐng)A滿收官！本屆展會(huì)在為期三天的開展期內(nèi)，300余家國(guó)內(nèi)外核心顯示企業(yè)齊聚上海展示產(chǎn)業(yè)鏈最新技術(shù)解決方案，前來參觀交流的專業(yè)觀眾接踵而至，現(xiàn)場(chǎng)人流絡(luò)繹不絕。
2024-07-09
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重磅！嘉立創(chuàng)、一博科技、嘉捷通、金晟達(dá)等PCB行業(yè)巨頭集結(jié)，一年只此一次！
為擴(kuò)大博覽會(huì)在國(guó)內(nèi)外的影響力，并緊貼電子信息行業(yè)發(fā)展的脈搏，本屆展會(huì)精心策劃了多個(gè)核心展區(qū)，涵蓋基礎(chǔ)電子元器件、半導(dǎo)體IC、特種電子、智能終端、AI大數(shù)據(jù)、智能制造等前沿領(lǐng)域，旨在展示最新技術(shù)成果，引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展潮流。值得一提的是，今年的西部電博會(huì)吸引了PCB行業(yè)的眾多佼佼者，包括嘉立創(chuàng)、一博科技、嘉捷通、金晟達(dá)、強(qiáng)達(dá)電路等在內(nèi)的20多家企業(yè)集體參展。
2024-07-09
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RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？
為了解電源域和電源的增長(zhǎng)情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò)。早期ADC采樣速度很慢，大約在數(shù)十MHz內(nèi)，而數(shù)字內(nèi)容很少，幾乎不存在。電路的數(shù)字部分主要涉及如何將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節(jié)點(diǎn)幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓軌(1.8 V )和兩個(gè)不同的域（AVDD和DVDD，分別用于模擬域和數(shù)字域），便可獲得足夠好的性能。
2024-07-09
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芯原戴偉民：AIGC為端側(cè)AI帶來巨大機(jī)會(huì)
芯原在世界人工智能大會(huì)（WAIC 2024）同期舉辦的“RISC-V和生成式AI論壇”上，芯原股份創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁，中國(guó)RISC-V產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長(zhǎng)戴偉民表示，AIGC為端側(cè)AI帶來巨大機(jī)會(huì)，在其中，汽車便是其中最大的終端。此外，他還分享了AIGC芯片的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。
2024-07-08
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑
相鄰或共用導(dǎo)電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運(yùn)行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導(dǎo)體器件在工作期間需要進(jìn)行快速開關(guān)，因此通常會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)型 EMI。在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中，器件兩端的電壓和流經(jīng)器件的電流會(huì)迅速改變狀態(tài)。開、關(guān)狀態(tài)間變化會(huì)產(chǎn)生 dv/dt 和 di/dt，從而在開關(guān)頻率的諧波頻率上產(chǎn)生 EMI。
2024-07-08
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DigiKey 將在 2024 慕尼黑上海電子展為觀眾帶來精彩的行業(yè)洞見和前沿技術(shù)展示
2024 慕尼黑上海電子展將在 7 月 8 日至 10 日期間于上海新國(guó)際博覽中心舉行。DigiKey 邀請(qǐng)了來自Analog Devices、Bel Fuse、 DFRobot、Microchip、 Molex、Omron、onsemi、 Renesas 和 YAGEO 行業(yè)領(lǐng)先品牌的供應(yīng)商嘉賓，以及行業(yè)專家、專業(yè)客戶和關(guān)鍵意見領(lǐng)袖參與訪談和演示。訪談話題將涵蓋人工智能、汽車、互連、工業(yè)自動(dòng)化、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等熱點(diǎn)領(lǐng)域，為觀眾帶來精彩的行業(yè)洞見和前沿技術(shù)展示。DigiKey誠(chéng)邀各位參會(huì)者蒞臨2024 慕尼黑上海電子展 E5展館5206號(hào)展位。
2024-07-05
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ST 攜汽車、工業(yè)、個(gè)人電子和云基礎(chǔ)設(shè)施創(chuàng)新技術(shù)和方案亮相2024 年慕尼黑上海電子展
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 即將亮相于2024年7月8-10日舉辦的2024年慕尼黑上海電子展 (E4.4600展臺(tái))。以“我們的科技始之于你”為主題，意法半導(dǎo)體將通過五十多個(gè)交互式應(yīng)用演示，展示為滿足客戶和不斷變化的市場(chǎng)需求而專門研發(fā)、設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體創(chuàng)新解決方案，涵蓋汽車、工業(yè)、個(gè)人電子產(chǎn)品和云基礎(chǔ)設(shè)施幾大領(lǐng)域。
2024-07-05
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氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展
氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導(dǎo)體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。通過氮化鎵材料的電流比通過硅半導(dǎo)體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個(gè)行業(yè)。
2024-07-05
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ST Edge AI Suite 人工智能開發(fā)套件正式上線 加快AI產(chǎn)品開發(fā)速度
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布人工智能開發(fā)套件ST Edge AI Suite正式上市。該開發(fā)套件整合工具、軟件和知識(shí)，簡(jiǎn)化并加快邊緣應(yīng)用的開發(fā)。
2024-07-04
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動(dòng)化產(chǎn)線注入核心部件
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