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安森美推出降低30%開關損耗的截止型IGBT器件
近日，安森美半導體推出新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件，降低開關損耗達30%，因而提供更高能效，并轉化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進行了優化，相比現有器件能降低外殼溫度達20%。
2013-05-16
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IGBT在太陽能應用中的高能效設計
對于太陽能逆變器來說，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進行控制，并能使逆并聯二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓撲及選用合適的IGBT，使太陽能應用的功耗降至最低。
2013-05-14
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IGBT在風光互補發電設計中新型應用
風光互補系統主要由風力發電機、太陽能電池板、風光互補控制器、逆變系統等組成，是新型的環保能源系統。逆變器是風光互補發電系統的關鍵設備，直接關系到供電質量和系統運行的可靠性。本文提出一種新的IGBT逆變器控制方法，能夠較好的控制逆變器系統的穩定，提供高質量的供電。
2013-05-11
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一種更精確的IGBT防護設計探究
在使用和設計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設計模式——所需余量較大，系統龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統引起的各種失效問題，這一直是IGBT領域的研究熱點，給廣大設計者帶來了不少麻煩。本文將突破傳統的保護方式，探討IGBT系統電路保護設計的解決方案。
2013-05-10
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第二講：基于IGBT的高能效電源設計
時至今日，綠色、環保、低能耗、高能效等理念時刻影響著消費者的決策。為此，廣大設計人員在設計產品時就需要盡量降低能耗，實現高能效。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）能夠幫助產品設計者應對他們所面臨的設計具有更高電路效率和性能的產品的挑戰。本文就為大家分析基于IGBT的高能效電源設計。
2013-05-10
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半月談：IGBT應用設計全面剖析
IGBT是電力電子重要大功率主流器件之一，已經廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。那么該如何做好IGBT的保護及設計呢？國內市場需求急劇上升曾使得IGBT市場一度被看好，今后的發展趨勢又將如何？
2013-05-09
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SiC BJT：比同類產品實現高達40%的輸出功率提升
飛兆半導體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一個替代技術，它可以在更高的溫度下轉換更高的電壓和電流。SiC BJT允許更高的開關頻率，傳導和開關損耗降低(30-50%)，從而能夠在相同的尺寸的系統中實現高達40%的輸出功率提升。
2013-05-08
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IGBT與IGCT、IEGT在輕型直流輸電領域的應用對比
IGBT因其電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點被廣泛用于變頻器的逆變電路中,但隨著電力電子制造技術的發展，IGCT及IEGT等新型全控型器件的應用范圍正在擴大，本文將針對IGCT、IEGT與IGBT在輕型直流輸電領域的應用進行對比。
2013-05-08
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IGBT市場能否迎來“第二春”
作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。國內市場需求急劇上升曾使得IGBT市場一度被看好。但隨著各國政府都將削減可再生能源及交通等領域的支出，IGBT市場還能再度增長嗎？
2013-05-03
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美高森美全新IGBT用于大功率、高性能的工業應用
美高森美宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。全新25A、50A和 70A IGBT器件設計用于大功率、高性能的工業應用。
2013-04-07
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SiC BJT：史上最高效率的1200V功率轉換開關
飛兆半導體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一代替代技術，它可以在更高的溫度下轉換更高的電壓和電流。它允許更高的開關頻率，但能保持相同或更低的開關和導通損耗，從而允許使用更小的電感、電容和散熱器，不僅可降低系統BOM成本，而且可在相同外形因子下提高輸出功率，或以更小的外形尺寸提供相同輸出功率。
2013-03-29
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突破傳統的IGBT系統電路保護設計
目前，在使用和設計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設計模式——所需余量較大，系統龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統引起的各種失效問題。 本文將突破傳統的保護方式，探討IGBT系統電路保護設計的解決方案。
2013-03-25
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