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閃存是什么？
閃存是什么？今天我們就一起來學(xué)習(xí)閃存的知識(shí)。本文主要講解的內(nèi)容有閃存簡介和閃存的概念和閃存的技術(shù)及特點(diǎn)以及決定NAND型閃存的因素有哪些和閃卡的優(yōu)點(diǎn)這些內(nèi)容。接下來就為大家講解相關(guān)的知識(shí)。
2013-06-29
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集成電路的發(fā)展
根據(jù)小編所了解早在1830年，科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開對(duì)半導(dǎo)體的研究。他們最初的研究對(duì)像是一些在加熱后電阻值會(huì)增加的元素和化合物。這些物質(zhì)有一共同點(diǎn)，當(dāng)它們被光線照射時(shí)，會(huì)容許電流單向通過，我們可藉此控制電流的方向，稱為光電導(dǎo)效應(yīng)。在無線電接收器中，負(fù)責(zé)偵測訊息的整流器，就是一種半導(dǎo)體電子儀器的例子。德國的Ferdinand Braun利用了半導(dǎo)體方鉛礦，一種硫化鉛化合物的整流特性，創(chuàng)制世上第一臺(tái)整流偵測器，后世俗稱為貓胡子的偵測器。基于半導(dǎo)體的整流特性，我們能在整流偵測器內(nèi)的金屬接觸面和半導(dǎo)體間建立起一電勢(shì)差，令電子在某一方向流動(dòng)時(shí)為“順流而下”，反之則“逆流而上”。至此，半導(dǎo)體電子儀器起始面世。
2012-12-02
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NOR和NAND比較有何不同
NOR和NAND比較有何不同
2012-11-19
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三大因素促USB 3.0需求明年將明顯增長
TrendForce預(yù)期NAND Flash合約價(jià)的上漲動(dòng)將持續(xù)至11月份，10月下旬合約價(jià)格仍上漲了7-12%,但11月過后的價(jià)格走勢(shì)面臨較大的下滑壓力。同時(shí)受三大因?yàn)橛绊慤SB 3.0市場將自明年開始加溫。
2012-11-01
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NAND閃存單元結(jié)構(gòu)
NAND閃存單元結(jié)構(gòu)
2012-10-31
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美光在NAND閃存市場的份額首次超過20%
在NAND閃存市場，三星是絕對(duì)的老大，所占市場份額趨近一半。由于營業(yè)收入增長，使得排名第三的美光縮小與第二名東芝之間的差距，份額首次突破20%大關(guān)。在第三季，東芝有可能陷入反復(fù)下降的狀態(tài)，而美光第二季度取得的勝利仍有待檢驗(yàn)。
2012-09-21
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蘋果A6與A7處理器代工將花落誰家？
蘋果三星專利大戰(zhàn)已經(jīng)結(jié)束，但硝煙卻遲遲沒有散去，除了三星需賠付高額美金外，蘋果已經(jīng)確定降低各領(lǐng)域采購三星零組件比例。在面板、NAND Flash、行動(dòng)式記憶體等領(lǐng)域，三星在蘋果供應(yīng)鏈比重已呈下降趨勢(shì)，A6與A7可能是蘋果在行動(dòng)運(yùn)算裝置最后一個(gè)去三星化的關(guān)鍵零組件，它將花落誰家呢？
2012-09-10
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未來四年全球芯片市場的CAGR可達(dá)8%，NAND增速最高
市場調(diào)研公司ICInsights近日發(fā)布報(bào)告稱，2011年至2016年期間全球芯片市場的復(fù)合年均增長率（CAGR）可達(dá)8%，其中NAND閃存芯片市場增速最高，將達(dá)到16.6%。
2012-08-17
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專業(yè)SSD廠商處境艱難，NAND閃存后來居上
股價(jià)下跌，專業(yè)SSD廠商面臨著更大的內(nèi)部挑戰(zhàn)與市場難題，SSD產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入強(qiáng)調(diào)規(guī)模、質(zhì)量和效率的時(shí)代，而不是依靠單個(gè)產(chǎn)品的性能。NAND供應(yīng)增加和爭奪超級(jí)本設(shè)計(jì)訂單的競爭加劇，促使今年SSD價(jià)格大幅下降，這將讓自身存在局限的專業(yè)SSD廠商處境更加艱難，尤其是面對(duì)規(guī)模較大的存儲(chǔ)領(lǐng)域競爭對(duì)手的時(shí)候。
2012-07-09
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緩存SSD仍是超級(jí)本中的王者，東芝NAND業(yè)績出色
對(duì)于越來越受歡迎的超級(jí)本來說，含有內(nèi)置NAND閃存層的混合型硬盤(HDD)，可能具有整合存儲(chǔ)的優(yōu)勢(shì)，但緩存固態(tài)硬盤(SSD)仍將是超級(jí)本的主流存儲(chǔ)解決方案。緩存SSD已然是超級(jí)本的主要存儲(chǔ)形式，今年出貨量將從去年的86.4萬個(gè)增長到2390萬個(gè)，暴增2660%。明年出貨量將上升到6770萬個(gè)，2015年將突破一億大關(guān)，到2016年達(dá)到1.63億個(gè)。
2012-06-26
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Spansion推出40nm級(jí)浮柵工藝的3.0V單層單元NAND閃存樣品
SLC NAND的主要特點(diǎn)為：存儲(chǔ)容量在1Gb-8Gb；25μs隨機(jī)存取，25ns順序存取，200μs編程速度，10萬次寫入周期；1位錯(cuò)誤校正碼(ECC)；工作溫度范圍在-40℃至85℃；10年使用壽命。適于車載信息娛樂、機(jī)頂盒/電視等及無線通信基站的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2012-06-11
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閃存領(lǐng)先廠商面臨新競爭，三星在手機(jī)市場領(lǐng)跑
生產(chǎn)穩(wěn)健和價(jià)格激進(jìn)，幫助美光和海力士半導(dǎo)體第四季度在全球NAND閃存市場中取得良好業(yè)績，縮小了與市場領(lǐng)先廠商之間的市場份額差距，并為2012年進(jìn)一步擴(kuò)大份額奠定了基礎(chǔ)。而三星電子第一季度取代諾基亞，首次成為全球最大的手機(jī)品牌。但三星在智能手機(jī)市場仍然排名第二，在蘋果之后。
2012-05-11
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