-
IR 推出可靠的超高 1200 V IGBT 以降低開關(guān)及傳導(dǎo)損耗
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出針對感應(yīng)加熱、不間斷電源（UPS）太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2011-09-07
-
關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時間的精確測量方法
在某些對器件時間特性要求較高的工程應(yīng)用中，需要更精確地確定IGBT的導(dǎo)通延遲時間。因而高精度的測量時間間隔是測量領(lǐng)域一直關(guān)注的問題。本文從精簡結(jié)構(gòu)，同時兼顧精度的角度出發(fā)，提出一種基于時間測量芯片TDC-GP2來精確測量IGBT導(dǎo)通延遲時間系統(tǒng)，用于測量IGBT的導(dǎo)通延遲時間，實現(xiàn)簡單且成本低的一種較為理想的測量方案。
2011-09-06
-
單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路
為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時產(chǎn)生瞬時集電極電流，設(shè)計人員一般會設(shè)計柵特性是需要負偏置柵驅(qū)動的IGBT。然而提供負偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動器，因為這些IC是專為接地操作而設(shè)計──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了。器件與負偏置柵驅(qū)動IGBT進行性能表現(xiàn)的比較測試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測試結(jié)果。
2011-08-29
-
新型節(jié)能設(shè)計技術(shù)研討會圓滿舉辦 打造西部電子高能效設(shè)計技術(shù)盛會
由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting聯(lián)合在成都和西安兩地成功舉辦了第七/八屆新型節(jié)能設(shè)計技術(shù)研討會成功舉辦。本屆研討會成都站活動于8月23日將在成都明悅大酒店舉辦；8月25日移師西安曲江國際會展中心，與中國（西安）電子展同期舉行。來自威世、凌力爾特、基美電子、英飛凌、羅姆、品佳電子的技術(shù)專家全面介紹了包括超快恢復(fù)二極管、薄膜電容、鋁電容、、鉭電容、聚合物電容、MOSFET、IGBT、SiC器件在內(nèi)的電子元器件在太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、新能源汽車、工業(yè)與通訊等領(lǐng)域中的應(yīng)用
2011-08-27
-
綠色能源計劃推動中國IGBT市場增長
據(jù)IHS iSuppli公司中國研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴格的能源政策，2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場銷售額的復(fù)合年度增長率將達13%...
2011-08-15
-
IGBT構(gòu)成的交流傳動逆變器的設(shè)計
隨著半導(dǎo)體器件的發(fā)展，IGBT越來越多的被應(yīng)用到交流傳動技術(shù)中。本文主要分析了IGBT構(gòu)成的交流傳動逆變器的主電路原理、逆變電路結(jié)構(gòu)及緩沖保護電路結(jié)構(gòu)，并對主電路的安裝布局以及電壓電流參數(shù)的選取做出了說明，同時提出了一種由M57959構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計。
2011-08-04
-
高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國的經(jīng)濟規(guī)模擴大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進展。
2011-07-27
-
大功率弧焊逆變電源的IGBT保護技術(shù)
本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機的控制程序?qū)『改孀冸娫吹?span id="w64ekww3" class='red'>IGBT采取相應(yīng)措施進行保護，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2011-07-15
-
新應(yīng)用帶動IGBT革新
前些年消費電子和工業(yè)控制是推動IGBT市場快速發(fā)展的兩架馬車，中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應(yīng)用的“提攜”下，大功率IGBT迎來了新的春天，而這些應(yīng)用帶來新的課題，與之相應(yīng)的是革新的永不止步。
2011-07-11
-
Diodes推出減少 IGBT 開關(guān)損耗的40V 閘極驅(qū)動器
Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器（gate driver） ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
2011-07-08
-
IGBT及其子器件的四種失效模式
本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。
2011-07-07
-
IGBT的四大保護措施
在中大功率的開關(guān)電源裝置中，IGBT由于其控制驅(qū)動電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點。本文通過對IGBT損壞機理的分析，根據(jù)其損壞的原因，提供柵極保護、過壓、過流、過熱四大有效的保護措施，以保證IGBT安全可靠工作。
2011-07-07
- 強強聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動化產(chǎn)線注入核心部件
- 瞄準精準醫(yī)療，Nordic新型芯片讓可穿戴醫(yī)療設(shè)備設(shè)計更自由
- 信號切換全能手：Pickering 125系列提供了從直流到射頻的完整舌簧繼電器解決方案
- 射頻供電新突破：Flex發(fā)布兩款高效DC/DC轉(zhuǎn)換器，專攻微波與通信應(yīng)用
- 電源架構(gòu)革新：多通道PMIC并聯(lián)實現(xiàn)大電流輸出的設(shè)計秘籍
- 村田參展CES 2026
- 2025智能戒指排名前十選購指南:從健康監(jiān)測到穿戴的全面解析
- 如何利用專業(yè)工具鏈大幅縮短電源開發(fā)時間？
- 直通引腳開關(guān)實現(xiàn)通道密度與精度雙飛躍
- 以 RK3506 為核：破解實時控制與系統(tǒng)適配難題
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
