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如何在低功耗MCU上實(shí)現(xiàn)人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)
人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）技術(shù)不僅正在快速發(fā)展，還逐漸被創(chuàng)新性地應(yīng)用于低功耗的微控制器（MCU）中，從而實(shí)現(xiàn)邊緣AI/ML解決方案。這些MCU是許多嵌入式系統(tǒng)不可或缺的一部分，憑借其成本效益、高能效以及可靠的性能，現(xiàn)在能夠支持AI/ML應(yīng)用。這種集成化在可穿戴電子產(chǎn)品、智能家居設(shè)備和工業(yè)...
2025-02-26
低功耗MCU 人工智能 機(jī)器學(xué)習(xí)
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PN連接二極管的設(shè)計(jì)
PN連接二極管由p區(qū)域和N區(qū)組成，該區(qū)域由耗盡區(qū)域分離，該區(qū)域存儲(chǔ)了電荷。上一個(gè)教程中描述的效果是實(shí)現(xiàn)的，而沒有將任何外部電壓應(yīng)用于實(shí)際的PN連接，從而導(dǎo)致連接處處于平衡狀態(tài)。
2025-02-26
PN連接二極管
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硅基功率開關(guān)已經(jīng)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？
在開關(guān)模式電源中使用GaN開關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源中的未來前景。如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問道：現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？
2025-02-26
硅基功率開關(guān) GaN開關(guān)
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羅姆的EcoGaN?被村田制作所的AI服務(wù)器電源采用
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN?產(chǎn)品GaN HEMT，被先進(jìn)的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI（人工智能）服務(wù)器電源采用。
2025-02-25
羅姆
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利用與硬件無關(guān)的方法簡(jiǎn)化嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)：基本知識(shí)
本文將演示一種加速嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)原型階段的方法，說明如何將與硬件無關(guān)的驅(qū)動(dòng)程序和傳感器結(jié)合使用，簡(jiǎn)化整個(gè)嵌入式系統(tǒng)的器件選擇。同時(shí)還將介紹嵌入式系統(tǒng)的器件、典型軟件結(jié)構(gòu)以及驅(qū)動(dòng)程序的實(shí)現(xiàn)。后續(xù)文章“利用與硬件無關(guān)的方法簡(jiǎn)化嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)：驅(qū)動(dòng)程序?qū)崿F(xiàn)”將進(jìn)一步探討執(zhí)行過程。
2025-02-24
硬件 嵌入式系統(tǒng)
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電容電壓分隔器
電容器像電阻一樣反對(duì)電流流動(dòng)，但與電阻器以熱的形式消散其不必要的能量，當(dāng)電荷充電和釋放時(shí)，電容器將能量存儲(chǔ)在其板上，或者在放電時(shí)將能量歸還到連接的電路中。
2025-02-24
電容 電壓分隔器
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盤點(diǎn)電機(jī)控制器用到的主要電子元器件與實(shí)戰(zhàn)方案
電機(jī)控制器的硬件通常分為控制板和驅(qū)動(dòng)板。控制板主要包括主控芯片、CAN網(wǎng)絡(luò)、采樣電路、旋變電路和電源電路等。下文將詳細(xì)介紹電機(jī)控制器主要用到的電子元器件，并分享一些已量產(chǎn)的伺服電機(jī)控制方案及其技術(shù)實(shí)現(xiàn)方式，以作參考。
2025-02-24
電機(jī)控制器 電子元器件
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玩轉(zhuǎn)AI?智能家居還有新說法?
近期，國(guó)內(nèi)初創(chuàng)AI公司DeepSeek-R1大模型引發(fā)全球熱議。憑借僅耗費(fèi)不到600萬美元的訓(xùn)練成本，就成功打造出與國(guó)際頂尖模型匹敵的R1系列，DeepSeek的成功再次預(yù)示著繼Chatgpt以后，全球AI行業(yè)將進(jìn)入一個(gè)新的競(jìng)爭(zhēng)階段。
2025-02-24
智能家居
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鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù)，實(shí)現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度
兩家公司在2025年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上展示了這項(xiàng)3D閃存創(chuàng)新技術(shù)，它與公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列）技術(shù)1相結(jié)合，采用最新的NAND閃存接口標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR6.0以及SCA（獨(dú)立命令地址）協(xié)議2（一種全新的接口命令地址輸入方式），同時(shí)還整合了PI-LTT（...
2025-02-24
3D閃存技術(shù)
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