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汽車 GPU 算力新高度支持智駕芯片實現架構創新
隨著汽車行業在“新四化”領域內迅猛地進步，汽車電子電氣架構正在發生顯著的變化。智能化的深入促使汽車計算架構逐步由傳統的以分域來進行風險控制的分布式架構，轉向以強調高性能計算同時減少冗余硬件和系統復雜性，從而提高系統效率和可靠性的中央計算架構。與此同時，一些新興的功能在新車中的滲...
2024-12-03
汽車 GPU 算力 智駕芯片
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貿澤電子與Analog Devices和Bourns聯手發布全新電子書
貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續性方面的優勢，以及發揮這些優勢所面臨的挑戰。
2024-12-03
貿澤電子 Analog Devices Bourns 電子書
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英飛凌AURIX TC3x新增支持FreeRTOS
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的AURIX? TC3x微控制器（MCU）系列新增了對FreeRTOS的支持。
2024-12-03
英飛凌
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借助支持邊緣 AI 的 MCU 優化實時控制系統中的系統故障檢測
本文中將討論集成式微控制器 (MCU) 如何增強高壓實時控制系統中的故障檢測功能。此類 MCU 使用集成神經網絡處理單元 (NPU) 運行卷積神經網絡 (CNN) 模型，幫助在監測系統故障時降低延遲和功耗。通過將邊緣 AI 功能集成到用于管理實時控制的同一 MCU 中，可以幫助您優化系統設計，同時增強整體性能。
2024-12-02
邊緣 AI MCU 實時控制系統
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現產品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。
2024-12-02
SiC 柵極絕緣層
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貿澤推出RISC-V技術資源中心 探索開源的未來
貿澤電子推出內容豐富的RISC-V資源中心，為設計工程師提供新技術和新應用的相關知識。隨著開源架構日益普及，RISC-V從眾多選項中脫穎而出，成為開發未來先進軟硬件的新途徑。從智能手機和IoT設備，再到高性能計算，RISC-V正在各行各業中發展成為更主流的指令集架構 (ISA)。
2024-12-02
貿澤 RISC-V技術
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迎機遇、創發展，廣州國際汽車電子&功率半導體技術盛會，邀您共精彩！
3.1.jpg 2025年11月20-22日，第十二屆廣州國際汽車電子技術展覽會，將于廣州保利世貿博覽館盛大舉辦！
2024-11-29
AUTO TECH China
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英飛凌推出集成I2t線路保護功能的PROFET Wire Guard，通過eFuses實現可靠配電
現代分散式分區配電架構需要可靠的解決方案。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）通過 PROFET? Wire Guard為開發人員提供先進的現代配電線路保護。
2024-11-29
英飛凌
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意法半導體比較器具有故障安全和啟動時間保障，提高可靠性，節省電能
意法半導體的TS3121和TS3121A軌對軌、開漏、單通道比較器具有創新的故障安全架構和啟動時間保障，可以簡化短時間啟動過程，在低功率應用中最大限度地降低功耗。
2024-11-28
意法半導體 比較器
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