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DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、SDAM內(nèi)存各有千秋，哪里不同？
在嵌入式系統(tǒng)中有各種不同種類的內(nèi)存，它們?cè)谙到y(tǒng)中發(fā)揮著不可或缺的作用。但是不同種類的內(nèi)存發(fā)揮的作用也不同。本文主要講述的是DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM等內(nèi)存之間的相同點(diǎn)和不同點(diǎn)，及其在嵌入式系統(tǒng)中發(fā)揮的作用。
2015-09-02
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繼續(xù)來(lái)找茬——DDR2設(shè)計(jì)案例分享（連載2）
大家如果心細(xì)的話應(yīng)該會(huì)留意到本期文章的題目，串?dāng)_案例分解，已經(jīng)可以揭示上期問(wèn)題的答案了，主要是串?dāng)_在作怪，原來(lái)如此，是不是恍然大悟？
2015-08-07
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繼續(xù)來(lái)找茬——DDR2設(shè)計(jì)案例分享（連載1）
答應(yīng)過(guò)的案例分享還是要繼續(xù)的，哪怕沒(méi)有其他的人愿意一起出來(lái)分享，小編也只能硬著頭皮往前走了。后續(xù)的案例我考慮換個(gè)玩法，就是先把出現(xiàn)的問(wèn)題拋出來(lái)，讓大家自己去發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，并且提供可行的解決方案，答案我們就在后一篇的文章里面公布出來(lái)，這樣應(yīng)該更好玩點(diǎn)吧。好了，閑話少說(shuō)，直接上菜！
2015-08-06
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PCB專家專場(chǎng)——DDX系列之derating
時(shí)序一直都是相對(duì)復(fù)雜的，而DDR2和DDR3時(shí)序設(shè)計(jì)時(shí)還有個(gè)叫derating的東西，暈！什么是derating呢？簡(jiǎn)而言之就是對(duì)建立保持時(shí)間基準(zhǔn)值的修正。
2015-07-21
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大家來(lái)找茬——任性的DDR2設(shè)計(jì)（下）
在上一篇的文章中我們有截取各組信號(hào)的大致走線結(jié)構(gòu)，從這個(gè)走線上我們到底可以看出什么問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致該DDR2系統(tǒng)運(yùn)行異常呢？下面請(qǐng)看我們一一為您分解。
2015-07-08
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大家來(lái)找茬——任性的DDR2設(shè)計(jì)（上）
前面有講到設(shè)計(jì)人員因?yàn)闆](méi)有留意到DDR3主控沒(méi)有讀寫(xiě)平衡功能，就按照常規(guī)的布線要求來(lái)走線，導(dǎo)致數(shù)據(jù)和時(shí)鐘信號(hào)長(zhǎng)度差異較大，最終使得DDR3系統(tǒng)運(yùn)行不到額定頻率。看來(lái)沒(méi)有讀寫(xiě)平衡的DDR3，直接按照DDR2的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)做還是比較靠譜的，那么DDR2的設(shè)計(jì)到底有哪些規(guī)則呢？我想大家肯定會(huì)比較感興趣吧。
2015-07-03
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e絡(luò)盟推出全新樹(shù)莓派2代B型板，可運(yùn)行更強(qiáng)大復(fù)雜的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目
e絡(luò)盟近日宣布推出全新第二代樹(shù)莓派。采用了900MHz的四核ARM Cortex-A7處理器（性能是前代的6倍以上），1GB的LPDDR2 SDRAM（內(nèi)存提升兩倍），并完美兼容第一代樹(shù)莓派。因?yàn)椴捎昧薃RMv7處理器，所以能夠運(yùn)行所有ARM GNU/Linux分支版本，包括Snappy Ubuntu Core和微軟的Windows 10系統(tǒng)。
2015-02-03
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電子技術(shù)分享：對(duì)于DDR2內(nèi)存的布線設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)
一個(gè)從事主板工作兩年的大俠分享了他對(duì)內(nèi)存布線設(shè)計(jì)的個(gè)人經(jīng)驗(yàn)，下文是針對(duì)DDR2 667內(nèi)存的布線設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)述，謹(jǐn)此獻(xiàn)給需要的同學(xué)們以供參考，希望能幫助到大家。 做主板已經(jīng)兩年多了，做過(guò)龍芯2F內(nèi)存條和板載內(nèi)存顆粒的設(shè)計(jì)，做過(guò)凌動(dòng)N450內(nèi)存條和板載內(nèi)存顆粒的設(shè)計(jì)。想寫(xiě)點(diǎn)東西總結(jié)一下，發(fā)現(xiàn)網(wǎng)上已經(jīng)有很多這類的文章了，現(xiàn)在再寫(xiě)一點(diǎn)就當(dāng)作是參考補(bǔ)充吧。以下內(nèi)容主要是針對(duì)DDR2 667內(nèi)存的設(shè)計(jì)。
2014-03-31
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【盤(pán)點(diǎn)】存儲(chǔ)模塊連接器，你用對(duì)了嗎？
筆記本內(nèi)存有Micro DIMM和Mini Registered DIMM兩種接口。Micro DIMM接口的DDR為172pin，DDR2為214pin；Mini Registered DIMM接口為244pin，主要用于DDR2內(nèi)存。DDR3 SO-DIMM接口為204pin。如何選擇，請(qǐng)看本文詳細(xì)解讀？
2013-01-09
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ddr3和ddr2的區(qū)別
DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會(huì)有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝。
2012-07-04
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Linear推出同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634應(yīng)用于DDR存儲(chǔ)器供電
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、雙通道單片同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634，該器件為DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM控制器提供電源和總線終端軌。
2011-07-05
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IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
IDT 公司推出首款針對(duì)DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤(pán)和電腦主板市場(chǎng)的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、移動(dòng)及嵌入式計(jì)算系統(tǒng)以最高效率運(yùn)行，通過(guò)監(jiān)測(cè)各子系統(tǒng)的溫度來(lái)節(jié)省總電力，提高可靠性和性能。
2010-01-29
- 國(guó)產(chǎn)濾波技術(shù)突破：金升陽(yáng)FC-LxxM系列實(shí)現(xiàn)寬電壓全場(chǎng)景覆蓋
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